Aqueles que acessaram este blog no dia 15 e 16 de agosto verificaram que os arquivos não reproduziram as figuras citadas nos textos. Estive trabalhando na solução deste problema. Já consegui postar todas as séries com as figuras.
Prof. Maciel - 19 de agosto - 2013 - 22:30 horas.
segunda-feira, 19 de agosto de 2013
Série Eletrônica Aplicada - 2°C- 3° bim13
CTIG – UNESP –
Curso de Informática - 2ºC - EAPL
SÉRIE DE
EXERCÍCIOS DE EAPL –
Prof. José B. Maciel - 3º
bimestre de 2013
NOME: ____________________________________________ DATA: __________
1 – No
circuito abaixo, calcular a freqüência de ressonância do oscilador,
sabendo-seque C1 é de 600ηF e C2 é de 330ηF e L1 é de 800µH.
Resp.
_____________________ KHz.
2 –
Qual o tipo de oscilador é o mostrado acima? Resp. _____________________
Como
trasnformá-lo em Clapp?
Resp.
____________________________
3 –
Como podemos mudar o valor da freqüência do circuito mostrado abaixo?
Resp.
____________________________
figura 2
4
– O que é e como é constituída uma fonte MAT?
Resp.
_____________________________
5
– Qual a vantagem no emprego de um oscilador a Cristal?
Resp.
______________________________
6
– O princípio de funcionamento de um oscilador está baseado no / na
a)
realimentação positiva ou em fase.
b)
realimentação negativa ou em fase.
c)
fato de o tanque LC oscilar livremente mesmo sem feedback.
d) fato
de o amplificador só oscilar com realimentação negativa.
7 – Um
oscilador que possua no tanque uma bobina dividida é conhecido como
a) Colpitts. b) Hartley. c)Armstrong. d) Clapp
8 - Um
oscilador que possua no tanque uma indutância dividida é conhecido como
a) Colpitts. b) Hartley. c)Armstrong. d) Clapp
9 - Um
oscilador que possua no tanque um transformador para prover a tensão de
realimentação e o
a) Colpitts. b) Hartley. c)Armstrong. d) Clapp
10 - Um
oscilador que possua no tanque uma capacitância dividida é conhecido como
a) Colpitts. b) Hartley. c)Armstrong. d) Clapp
11 - Um
oscilador que possua no tanque uma indutância dividida e um outro capacitor junto à bobina é
conhecido como
a) Colpitts. b) Hartley. c)Armstrong. d) Clapp
12 – A
característica do terceiro capacitor no oscilador Clapp é de ser
a)
menor que os demais. b) maior que os
outros dois. c) de mesmo valor que os
outros dois. D) estar em paralelo com o
indutor.
13 – Um
oscilador Colpitts, que possua capacitores de 900nF e 720nF e uma indutância de
400µH, possui como freqüência de oscilação o valor de ______________ KHz.
14 –
Determinar o valor da freqüência mínima e máxima de oscilação do circuito
mostrado abaixo. Considere η = 0,65
T = R1
x C1 x ln [ 1 / (1 – η ) ]
figura 3
15 –
Uma onda dente-de-serra é obtida sobre
a) R3. b) R1. c) C1.
d) R2
16 –
Pulsos positivos são obtidos sobre
a)
R3. b) R1. c) C1.
d) R2.
17
Pulsos negativos são obtidos sobre
a) a
base 2. b) a base 1. c) o emissor.
d) o
capacitor.
18
– Um TJU possui como circuito equivalente umm ____________ entre a base 2 e
base 1; e um ___________ entre ________ e base 1.
19 –
Um cristal empregado em um oscilador possui como equivalente num circuito _____
Série, onde o valor da indutância é muito
_______ ( grande / pequena ) comparado aos valores de R e C.
20 – O
circuito abaixo é um equivalente possível para o a) cristal de quartzo.
b)
TJU. c) oscilador Clapp. d) tanque.
figura 4
21 –
Para o equivalente mostrado no item 20, em que situação os transistores irão à
saturação, dando um curto em RB1?
Resp.
_____________________________
22 -
Determinar o valor da freqüência de oscilação do circuito mostrado abaixo.
Considere η = 0,65
T = R1
x C1 x ln [ 1 / (1 – η ) ]
figura 5
23 - O
circuito abaixo é um equivalente possível para o a) cristal de quartzo.
b)
TJU. c) oscilador Clapp. d) oscilador de relaxação.
figura 6
24 -
Determinar o valor da freqüência de oscilação do circuito mostrado abaixo,onde
C1 = C2 = C3 = Ct = 100nF e R1 = R2 = R3 = Rt = 100Ω.
Fo = 1 / ( 2xπxRtxCtx2,45 )
figura 7
25 – O
circuito abaixo recebe uma onda triangular com um período de 1ms na entrada.
Para se obter uma onda quagrada na saída, devemos empregar um capacitor com
valor menor ou igual a _________ Ω
figura 8
26 – A
saída de um diferenciador que receba uma onda quadrada variando de zero a 4
volts negativos é um par de ___________ sendo o primeiro ________ e o segundo
__________ .
27 – O
circuito abaixo recebe uma quadrada com período de 1µs na entrada. Qual a forma
de onda de saída? ______________ .
figura 9
28 – O
circuito anterior é um ____________ otimizado devido ao valor da CT = R x C =
_______ vezes o período da onda de entrada.
29 -
Determinar o valor da freqüência de oscilação do circuito mostrado abaixo,onde
C1 = = 100nF e R1 = 1000Ω.
T = 2
xRxCxln [ (1 + B ) / (1 – B ) ] ), sendo
B = R3 / ( R2 + R3 )
Resp.
_______________
figura 10
30 – O
circuito acima, na saída, fornece ondas a) triangulartes. b) quadradas.
c)
senoidais. d) retangulares.
31 –
Para se obter ondas ______________ ( triangulares / retangulares ),
devemos acrescentar após o circuito do
item 29 um ________ ( integrador / diferenciador )
32 – O
oscilador do item 24 é destinado a gerar ondas
a) triangulartes. b) quadradas.
c)
senoidais. d) retangulares.
33 –
Se após o circuito do item 29 for inserida uma rede ____________________ (
diferenciadora / integradora ), teremos na saída da rede a) onda retangular. b) onda triangular. c) pulsos positivos e pulsos negativos. d) somente pulsos positivos.
POEMA 2013 / 9
08/Abr - 02 / Jun 2013.
Antes de dizer adeus:
deixar um poema escrito com rosas;
desenhar flores nos vazios das horas;
compor uma canção com acenos de
saudade;
pintar um quadro com as cores que
vejo em ti;
amar os pássaros ainda com a inocência
de
menino;
apreciar horizontes e seus caminhos
sem fim;
ler cartas antigas para saciar as vozes
do
coração;
recitar palavras de amor para ficar
mais
jovem.
ser poeta mesmo em dias nublados;
saborear tua presença como fruto doce
em sua estação
e continuar de olhos abertos para não
perder nada do milagre de cada dia.
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josebeneditomaciel.blogspot.com
Respostas
1 –
Cálculo. 12,57KHz
2 –
colpitts – colocar um capacitor menor que C1 e C2 em série com L2
3 –
trocando o Cristal por outro de freqüência diferente.
4 – um
oscilador de pulsos e um transformador com número de espiras no secundário
maior que no primário.
5
- frequência bem definida e maior
estabilidade
6 – a
7 – b
8 – b
9 – c
10 – a
11 – d
12 – a
13 –
cálculo – 12,57kHz
14 –
cálculo – T = R1xC1 x ln( 1 / [ 1 – η ] ) para η = 0,65: T = R1 x C1 x 1,04
15 – c
16 – a
17
- a
18 –
resistor e diodo – emissor
19 –
RCL – grande
20 – b
21 –
VE maior que VB1
22 –
cálculo – 3,64kHz – T = R1xC1 x ln( 1 / [ 1 – η ] ) para η = 0,65: T = R1 x C1
x 1,04
23 – a
24 –
cálculo – 3,24kHz
25 –
cálculo
26 –
pulsos – negativo - positivo
27 –
cáculo
28 –
integrador - cálculo
29 - 1,7kHz
30 – b
31 –
triangular – integrador
32 –
senoidais
33 –
se integrador: b – 0ndas triangulares; se diferenciador – c) pulsos
diferenciados
Série - EB - 2° C - 3° bim.2013
unesp UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA
CAMPUS DE GUARATINGUETÁ
Colégio Técnico Industrial de
Guaratinguetá
Prof. Carlos Augusto Patrício Amorim
SÉRIE
DE EXERCÍCIOS –
Prof. Maciel - -3º BIMESTRE - 2013 - 2º
C - EB
Nome:
_________________________________________________ Data: _____________
1
– No Estudo dos JFETs, a tensão de pinch off, tensão de estrangulamento,
determina
a) IDSS e VG
b) IDQ
e VGSQ
c) IDSS e VGSoff
d) IDQ
e Vp
2
– Um JFET possui uma IGss de 8,0nA quando recebe uma tensão VGS inversa de 24V.
Qual a impedância de entrada deste dispositivo? Resp. __________ ohm.
3
– Calcular a corrente IDQ de um JFET que receba VGSQ de 2,2Ve tenha uma IDSS de
10mA para uma Vp de -4V. Resp. IDQ = IDSS x ( VGS/VP -1 )2 =
_____________
4 –
Calcular a potencia dissipada por um JFET que possua uma VDSQ de 3,2V,IDQ
de 4,4ma e VVGSQ de 2,0V. Resp. P = ____________ W
5 - Calcular o
valor de RD do circuito mostrado abaixo para IDQ de 1mA, VDSQ de 15 volts e
VGSQ de – 1V. Resposta: ________ ohm.
figura 1
6
– Calcular os valores de Rs e RD do circuito abaixo, onde a corrente quiescente
de dreno de 1ma, e VDS quiescente é de 15volts. Sabe-se que na curva de
transcondutância do referido JFET uma Id de 1ma ocorre para VGS de -1volt.
Resposta: Rs = ________ ohm e RD = ____________ ohm
figura 2
7
- Determinar os valores de RG1, RS e RD do circuito mostrado a seguir para o
ponto quiescente de 1ma de IDQ, com 15 volts de VDS, para uma VGS de -1V. CONSIDERE RG2 NO VALOR DE 15kΩ e VGG = 1,0V Dados: a) VGG = RG2 x VDD / ( RG1 + RG2 );
b)
-VGS = (Rs x ID) – VGG; c) RS = ( VGG – VGSQ ) / IDQ,
d) RD = [(
VDD – VDSQ ) / IDQ ] – RS ou RD =
( VDD – VRS - VDS ) / IDQ
8 – Calcular a resistência
RDS(on) da chave DC empregando um JFET que possua uma VDS(sat) ou ( vp) de
2volts e uma IDss de 10mA. Qual valor da tensão de saída para o caso de o
circuito receber uma VGs nula e Vin de 20mVpp? Respostas: _______ ohm e
__________ mV. Dados: RDS (on) = VP / IDSS
9 – Calcular a resistência
RDS(on) da chave DC empregando um JFET que possua uma VDS(sat)ou ( Vp) de 4volts e uma IDss de 8mA. Qual valor
da tensão de saída para o caso de o circuito receber uma VGs nula e Vin de 100mVpp?
Respostas: _______ ohm e __________ mV. Dados: RDS (on) = VP / IDSS
figura 5
10 – No circuito abaixo, o
valor de VDS é de ________ V eo transistor está operando na região
_______________ . Dados: IDSS = 6ma; VGS
( off ) = -4V.
Resposta: ( a ) 6,8 –
ôhmica ( b ) 6,8 – de corrente
constante ( c ) 1,2 – ôhmica ( d ) 1,2 – de fonte de corrente ( prova EAGS 2002 )
11 – Os MOSFETs podem ser
classificados em dois tipos que são : modo de ________________ e MOSFET modo de
_____________ ou _____________.
12 - Um MOSFET modo de _________ é um dispositivo
normalmente fechado, ou um dispositivo que possui o canal existente mesmo com
VGS nula, sendo sua IDSS um valor ____________( máxima / médio / mínimo) .
13 - Um MOSFET modo de _________ é um dispositivo
normalmente aberto, ou um dispositivo que
possui o canal aberto quando a VGS
é nula, sendo sua IDSS um valor ____________ ( máxima / médio / mínimo) .
14 – Um VMOS ou POWER FET é
um MOSFET modo de ___________ empregado para correntes elevadas.
15 – A tecnologia CMOS
emprega os MOSFETs modo de ____________ para a confecção de portas lógicas.
16 – Um amplificador para
baixos sinais para freqüências elevadas emprega o MOSFET modo de ______________ .
17 – A vantagem dos MOSFETs
sobre os JFETs é a
( a ) baixa transcondutância
dos MOSFETs ( b ) altíssima impedância dos MOSFETs
( c ) baixo ganho dos
JFETs ( d ) alto ganho de tensão
dos MOSFETs.
18 – Por que não se pode
empregar a autopolarização para os MOSFETs modo de acumulação?
( a ) por impor uma tensão
VGS positiva. ( a ) por impor uma tensão VGS negativa.
( c ) por diminuir a
impedância do MOSFET. ( d ) por
aumentar a largura do canal do MOSGFET.
19 – No circuito de
chaveamento de carga ativa mostrado abaixo; a) calcular a impedância RDs(on) do
MOSFET superior e do inferior. B) Para um sinal TTL de 5V, qual a tensão em Q1
e em Q2? Resp. VDS1 = ___________ V e
VDS2 = ___________ V.
Dados: Para Q1: ID(on) = IDss = 4mA e VDS(on) = 24V
Para Q2 : ID(on) = IDss = 4mA,
VP = VGSoff = 2V e VGSQ = -1V
Resp. a) RDS (Q1) = ________ RDS (Q2) = _________ b)
fiura 7
20 – Para o circuito abaixo,
determinar o valor de Vo1 e de Vo2 para a situação de a) V(contr) de -5V e b)
V(contr) = VGS = zero. Resp.
V(contr) de -5V: Vo1 -
_____________ Vo2 = ___________________
VGS = zero: Vo1 =
________________ Vo2 =
___________________
21 – Para o circuito abaixo, para VGS de -0,5V, o valor de
ID é de aproximadamente ____________ mA.
O valor exato de ID é de _________________ mA. O valor da tensão VD é de
aproximadamente _____________ volts.
figura 9
22 – Para o circuito abaixo, para VBE é de 0,6V, o valor de
ID é de aproximadamente ____________ mA.
O valor exato de ID é de _________________ mA. O valor da tensão VD é de
aproximadamente _____________ volts.
Figura 10
23 – Para o circuito
abaixo, onde VGS é de – 2,827V e VBE é de 0,673V, determinar os seguintes
valores: VB, VE, VD, VC = VS, VCE e VDS.
Resp. VB = ______________ V, VE = _____________ V, VD =
_____________ V,
VC = VS = ____________ V,
VCE = ______________ V e VDS =
_____________ V
Figura 11
24
- No circuito abaixo, para Ve de +5V, (
nível alto ), Q2 _________ ( corta / satura ); Q1 _________ ( corta / satura )
e Q3 _________ ( corta / satura ) levando o motor M1 à ___________ ( ativação
/ desativação ).
Figura 12
25
- No circuito acima, para Ve em nível
baixo, Q2 _________ ( corta / satura ); Q1 __________ ( corta / satura ) e Q3 _________
( corta / satura ) levando o motor M1 à ___________ ( ativação / desativação ).
Poema
2012 / 1 - 24 / 01 / 12
O
que caberá no meu close de artista?
-
Uma cor vã – um desenho inédito?
-
uma palavra ao meio – corpo metade?
-
uma face dividida – uma metáfora?
-
Uma descoberta – um assunto
discutido no silêncio.
-
Uma conversa – um compasso
que não existe.
-
Meus acasos – uma procura de
memória.
-
Aventura do andamento. – incompletude de horizontes.
-
Caminho a prosseguir –
sem
saber onde encontrar o poema.
-
minhas pontes para o espanto –
um
adjetivo vertendo no poema! José B.
Maciel -
Visite:
josebeneditomaciel.blogspot.com.br – artes e poesia
Respostas.da Série de
Exercícios de EB – Eletrônica Aplicada – Turma: 2º C
3º bimestre – Prof. José. B.
Maciel –
1 –
C 2 - 3GΩ 3 – 2,055mA 4 – 14,08mW 5 - 10kΩ
6 – RS
= 1kΩ e RD = 9KΩ
7
– RG1 = 360kΩ, RS = 2,0kΩ e RD = 8kΩ
8 – RDSon = VDSsat/IDss = 400Ω e Vout = 7,69mVpp
9 – RDSon = VDSsat/IDss = 500Ω e Vout = 99,09mVpp
10 –
b 11 – depleção – acumulação –
crescimento
12
- depleção – médio
13
–acumulação – mínimo
14 –
acumulação
15-
acumulação
16 –
depleção 17 – b 18 – por impor um valor de VGS negativa na
porta
19
- 6kΩ e 500Ω / 0,454V e 4,54V
20 –
+2,25V e -3,375V /+ 3,6V e -5,4V
21 – aproxim 0,5mA e exato de 0,4833mA
22 - aproxim 0,5mA e exato de 0,48mA
23 – 3,17V – 2,5V, 11,33V, 6V, 3,5V e 5,33V
24 – corta – satura – corta – desativa
25 – satura – corta – satura – ativa
Série de Circuitos Eletrônicos -2°B-3° bim.2013
unesp
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA
CAMPUS DE GUARATINGUETÁ
Colégio Técnico Industrial de Guaratinguetá
Prof. Carlos Augusto
Patrício Amorim
SÉRIE
DE EXERCÍCIOS – Prof. Maciel - -3º BIMESTRE - 2013 - 2º
B - CE
Nome:
____________________________________________________________ Data:
_____________
1 – No circuito abaixo, Vin1 é aplicada na base de Q1 e
Vin2, na base de Q2. Vout1 é a saída do coletor de Q1 e Vout2, saída do coletor
de Q2. Assim:
a)
Vout2 é invertida com relação a Vin1.
b)
Vout1 é
invertida com relação a Vin2.
c)
Vout2 está em fase com Vin2.
d)
Vout1 está em fase com Vin2.
Circuito 1
2 – No circuito 1 anterior, a função de VEE e RE é de prover
a) Meios
para que Q1 sature e Q2 corte.
b) Meios
para que Q1 entre em corte com Q2.
c) IT
= IE = IE1 + IE2 seja uma fonte de corrente constante.
d) IT
= IE = IE1 + IE2 varie de acordo com a diferença entre Vin1 e Vin2.
3 – No circuito 1 acima, se Vin1 e Vin2 forem sinais de
modo diferencial:
a) Vout1
possui amplitude que depende só do ganho de Q1.
b) Vout2
possui amplitude que depende do ganho de Q2 exclusivamente.
c) Vout1,
assim como Vout2, possui amplitude que depende do ganho de Q1 e de Q2.
d) Vout(total) tomada de Vout1 a Vout2 possui a mesma dada
pelos ganhos de Q1 e de Q2.
4 – No circuito 1 acima, a saída tomada de Vout1 a Vout2
será nula quando as entradas forem:
a) de
mesma fase.
b) de
mesma amplitude.
c) de
modo diferencial.
d) De
modo comum.
5 – Para o circuito 1, página anterior, o valor preciso
da corrente de cauda, dependente de VBE, será de:
a)
30µA. b) 28,6µA. c) 15µA.d) 14,3µA.
6 - Para o circuito 1, página anterior, o valor
aproximado da corrente de cauda, será de:
a)
30µA. b) 28,6µA. c) 15µA.d) 14,3µA.
7 - Para o circuito 1, página anterior, o valor da tensão
DC de Vout1 ou de Vout2, será de:
a) +15V. b) -15V.
c) +7,5V. d) -7,5V.
8 – Para o circuito 2, abaixo, onde Q1 e Q2possuem β =
200, o valor preciso da corrente de cauda, em função de RB, será de:
___________________
Circuito 2
9 – O circuito 2 possui uma IB no valor de
________________
10 - No circuito 2., o valor da tensão Dc em cada base
será de ________________
11 – Se o circuito 2, acima, possui beta de Q1 de 150 e beta
de Q2 no valor de 100, IB1 será de ____________ , IB2 será ___________ , VB1
será igual a _________ e VB2 será de
_________
12 – Para o circuito 2, abaixo, se IB1 = 80µA
e IB2 = 70µA,
determine o valor da corrente de offset (Ios) e de bias de entrada. Ios =
Iin(off) = ____________ Iin(bias) =
_________________
13 – Num amplificador diferencial, se Ios é de 12µA,
Iin(bias) = 84µA, o valor de IB1 e de IB2 será de ____________ µA e ____________
µA, respectivamente.
14 – O circuito 3, abaixo, possui entrada Vin de +2mVp aplicada entre a
base de Q1 e a de Q2.
a) O valor da
corrente de cauda será de _____________
b) A corrente
de emissor de cada transistor será de ______________
c) O valor da
resistência dinâmica de cada transistor será igual a ______________
d) O ganho de
tensão, neste caso, será de _____________________
e) Neste
caso, a tensão de coletor passa a ser de _______________
f) Para
Beta = 200, a impedância de entrada será de _____________
1 - I(cauda ) = IE = VEE / RE;
2 - r’e = 25mV / IE
3 - AV = -RC / 2 x r’e
4
- ZE = 2 x β x r’e
Circuito 3
15 – O circuito 3, acima, possui entrada Vin de -3mVp aplicada entre a
base de Q1 e a de Q2.
a) O valor da
corrente de cauda será de _____________
b) A corrente
de emissor de cada transistor será de ______________
c) O valor da
resistência dinâmica de cada transistor será igual a ______________
d) O ganho de
tensão, neste caso, será de _____________________
e) Neste
caso, a tensão de emissor passa a ser de _______________
f) Para
Beta = 400, a impedância de entrada será de _____________
16 – No circuito 4, abaixo, se in(bias) = 90ηA e
Iin(os) = 20ηA, qual o valor da tensão de offset, Vos) de saída? a) Vin(ffset) = Iin(os) x RB = ________________
b)-r’e = 25mV / IE = ______________________ c) AV = -Rc / 2 xr’e =
______________________
d)-Vout(os) = AV x Vin(os) = ________________
circuito 4
17 – Para o circuito 4, se os resistores RB possuem uma
tolerância de 10%, determine Vin(os) e Vout(os). Considere Iin(bias ) = 80ηA
e Iin(os) = 20 ηA
a) IB1
= __________ ou ___________
IB2 = ____________ ou ____________
b) Dois
valores ( piores casos ) para os
resistores:
RB1 = ____________ ou __________ RB2 = _____________ ou ___________
c)Vin = IB1
x RB1 – IB2 x RB2 = ______________________________
d) Vout
= beta x Vin =
________________________________
18 – Para o exemplo do item 17, se os transistores possuírem
uma variação na VBE, ( ΔVBE), de 2mV,
determine os valores de Vin e de Vout.
Vin = _______________
Vout. = __________________
19 – Determinar o ganho em modo comum do circuito
anterior.
AV(CM) = RC / (2 x RE) =
______________
20 – Determine o valor de CMRR do circuito anterior.
CMRR = AV(DIF.) / AV(CM) = ________________
21 – Qual o valor da corrente de emissor para o circuito
5, mostrado abaixo.
Resp. IC = _______________________
circuito 5
22 – Para o circuito 6, abaixo, qual a finalidade de se
empregar Q1 no circuito abaixo?
Resp. ___________________________ Q1 age como um / uma ________________
circuito 6
23 – No circuito 7, abaixo, Q1 e D1 possuem
a função de agir como _____________________ para aumentar a _______________ de
entrada. O emprego de Q4 e D2 tem a finalidade de obter um valor de
_________________ elevado.
circuito 7
24 - No estudo dos A. Diferenciais, o ganho em modo
diferencial é dado por ____________ e o ganho em modo comum é o por
______________
( a ) RC / r ‘ e
- RC / RE. ( b )
2xRC / r ‘ e - RC / 2xRE.
( c ) RC / 2 x r ‘
e - Rc / RE. ( d ) RC / 2x r ‘ e - RC / 2xRE
25 – Para aumentar a impedância de entrada de um A. D.
devemos substituir ______ por uma / um
( a ) RC – fonte de corrente constante. ( b ) RE – espelho de
corrente.
( c ) RC - espelho de corrente. ( d ) RE – um diodo casado com VBE.
( e ) RC – diodo casado com VBE.
26 – Um A. D. apresenta, idealmente, um
____________tendendo a / ao
( a ) CMRR – tendendo a zero. ( b ) CMRR –
tendendo ao infinito.
( c ) ganho em modo comum muito alto. ( d ) ganho em modo diferencial
muito baixo.
27 - No estudo dos Amplif. Diferenciais, o ganho em modo
diferencial ( AD )é dado por ____________ e o ganho em modo comum ( AC ) é o
por ______________ ;sendo o CMRR dado por
___________ .
( a ) RC / r ‘ e
- RC / RE - AC / AD
( b ) 2xRC / r ‘ e
- RC / 2xRE – AD / AC
( c ) RC / 2 x r ‘
e - Rc / RE – 20log ( Ac / AD )
( d ) RC / 2x r ‘ e
- RC / 2xRE – 20log ( AD / AC )
( e ) RC
/ 2xr’e - RC / 2xRE – 10log ( AD / AC
)
28 - Escolha as duas alternativas corretas.
Quanto ao circuito 8, mostrado abaixo, podemos afirmar
corretamente que
a) para Ve1 na alternância positiva, a saída Vo3 será um
semiciclo negativo.
b) para Ve1 na alternância negativa, a saída Vo2 será um
semiciclo negativo.
c) para Ve2 na alternância positiva, a saída Vo3 será um
semiciclo positivo.
d) a entrada Ve1 é a entrada não inversora com relação à
saída Vo3.
e) a entrada Ve2 é a entrada inversora com relação à
saída Vo1.
Circuito 8
RESPOSTAS.
1 – d; 2 – c;
3
– c; 4
– d; 5 – d; 6 – c; 7 – c; 8 –IT = 0,946mA;
9 – 2,365µA, considerando IT do item 8;
10 – 52mV;
11 – 3,153µA – 4,73µA
– 69,36mV – 104mV; 12 – Iin(os) = 10ηA
- 75ηA;
13 - 90ηA e 78ηA; 14 – a) IT = 14.3V / 15k = 0,953mA; b)
0,4766mA; c) 52,45Ω; d) AV = 220k / 52,45 = 2,097; e ) 11,69V; f) 20,98kΩ; 15 - a) IT = 14.3V / 15k =
0,953mA; b) 0,4766mA; c) 52,45Ω; d) AV = 220k / 52,45 = 2,097;
e) 1,209V; f) 20.98kΩ; 16 – a) 3mV; b) IT =(
15V -0,7V )/ 470kΩ = 30,42µV, r’e = 25mV/15,21µV
= 1,643kΩ,
c) AV = 1200k / 3287,3Ω = 365; d)Vout(os) = 3mV x 365 = 1,095V.
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